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SOI 納秒光開關(guān)芯片陣列

簡(jiǎn)要描述：SOI 納秒光開關(guān)芯片陣列該產(chǎn)品基于硅基載流子色散效應(yīng)實(shí)現(xiàn)納秒級(jí)高速響應(yīng)的光路切換，實(shí)現(xiàn)了多通道光開關(guān)陣列的單片化集成，芯片與多通道光纖和外圍驅(qū)動(dòng)電路一體化光電封裝，熱電混調(diào)，數(shù)字化驅(qū)動(dòng)，偏振相關(guān)性小，插入損耗低

產(chǎn)品型號(hào)：ZG
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間：2025-05-10
訪問量：2354

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SOI芯片式高速光開關(guān)陣列

四川梓冠光電最新研發(fā)SOI芯片式高速光開關(guān)陣列，該產(chǎn)品基于硅基載流子色散效應(yīng)實(shí)現(xiàn)納秒級(jí)高速響應(yīng)的光路切換，實(shí)現(xiàn)了多通道光開關(guān)陣列的單片化集成，芯片與多通道光纖和外圍驅(qū)動(dòng)電路一體化光電封裝，熱電混調(diào)，數(shù)字化驅(qū)動(dòng)，偏振相關(guān)性小，插入損耗低。

〖性能指標(biāo)Specifications〗

參數(shù)指標(biāo) Parameters	單位 Unit	最小值 Min.	典型值 Typ.	最大值 Max.	備注 Notes
波長(zhǎng)范圍 Wavelength range	nm	1530—1570 nm or 1270nm—1330 nm
消光比 Extinction ratio	dB	19	20	22
插入損耗 Insertion loss	dB	1.6	1.8	2.0
回波損耗 Return loss	dB	40	50
偏振相關(guān)損耗 PDL	dB		0.3	0.5
驅(qū)動(dòng)電壓 drive voltage	V	0.9	1	1.2	@300ns
驅(qū)動(dòng)電流 drive current	mA	6	7	9	@300ns
芯片級(jí)響應(yīng)時(shí)間 Response Time	ns	30		300
熱調(diào)功耗 Thermal tuning power consumption	mW	30		50
通道數(shù) number of channels		8—16或可定制 8—16 or Can be customized
光功率 Transmission optical power	mW	80

工作溫度范圍

Operating temperature range

°C

-20

工作濕度范圍

Operating humidity range

+65

芯片尺寸

Chip Dimensions

20(L)×2.5 (W)×0.5(H)

或可定制

or can be customized

波長(zhǎng)

Wavelength

通道數(shù)

Number of channels

類型

Type

13=1310nm

15=1550nm

1=1CH

4=4CH

8=8CH

16=CH

XX=other

1=不帶熱調(diào)

1=Without temperature regulating thermistor

2=帶熱調(diào)

2=With temperature regulating thermistor

XX=other

梓冠光電自成立以來，持續(xù)投入研發(fā)，吸納通信行業(yè)技術(shù)人才，其中博士占比人數(shù)5.7%，本科占比人數(shù)22.8%。公司產(chǎn)品日漸鄒于多元化，不僅擁有行業(yè)水平的光開關(guān)、光衰減器、光纖延遲線、偏振控制、MEMS器件、高速光探測(cè)器、硅基高速器件、脈沖光纖激光器、飛秒光纖激光器、半導(dǎo)體激光器及光路保護(hù)設(shè)備（OXC）等產(chǎn)品，公司還為激光雷達(dá)系統(tǒng)、量子通訊系統(tǒng)、激光聚變成像傳輸系統(tǒng)等提供核心的高精端光器件，其中光纖延遲器、光開關(guān)、光衰減器系列為核心技術(shù)的量產(chǎn)產(chǎn)品，產(chǎn)品技術(shù)獲得多項(xiàng)認(rèn)證，其中發(fā)明6項(xiàng)，外觀，軟著，實(shí)用性等共16項(xiàng)

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